uvled原理是什么,？什么是1UVLED消耗功率,？

uvled原理是什么,？什么是1uvled消耗功率？

1UVLED發(fā)光機原理：PN結的端電壓構成一定的勢壘,。 當正向偏置電壓時勢壘減小時,，P和N區(qū)域中的多數(shù)載流子彼此擴散。 由于電子遷移率的遷移率遠大于空穴的遷移率,，因此大量電子將擴散到P區(qū),，從而在P區(qū)中注入少數(shù)載流子。 這些電子與價帶中的空穴復合，并且在復合期間獲得的能量以光能的形式釋放,。 這就是PN結發(fā)光的原理,。
2.UVLED發(fā)光效率：通常稱為組件的外部量子效率，是組件內(nèi)部的量子效率與組件的提取效率的乘積,。 所謂的模塊內(nèi)部量子效率實際上就是模塊本身的電光轉換效率,，這主要與模塊本身的特性（例如能帶，模塊材料的缺陷和雜質(zhì)）有關,。）,，勢壘晶體的組成和模塊的結構。 組件的提取效率是指組件內(nèi)部生成的光子數(shù),，在組件自身被吸收,，折射和反射后，可以實際在組件外部進行測量,。 因此,，與提取效率相關的因素包括成分材料本身的吸收，成分的幾何結構,，成分和包裝材料的折射率差以及成分結構的散射特性,。 組件的內(nèi)部量子效率與組件的提取效率的乘積是整個組件的發(fā)光效果，即組件的外部量子效率,。 早期組件開發(fā)的重點是改善其內(nèi)部量子效率,。 主要方法是提高勢壘晶體的質(zhì)量并改變勢壘晶體的結構，使電能不易轉化為熱量,，從而間接提高了UVLED的發(fā)光效率,，從而獲得了70％的剩余能量。 正確的理論內(nèi)部量子效率,，但是這樣的內(nèi)部量子效率幾乎接近理論極限,。 在這樣的條件下，僅通過增加模塊內(nèi)部量子效率就不可能增加模塊的總光量,，因此提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題,。 目前的方法主要是：晶粒形狀的變化TIP結構，表面粗糙化技術,。

3,，UVLED電氣特性：電流控制裝置，負載特性UI曲線類似于PN結,，正向方向的很小變化導通電壓會引起正向電流（指數(shù)級）的大變化,，反向漏電流非常小，反向擊穿電壓,。 在實際使用中,，應該選擇,。UVLED正向電壓隨著溫度的升高而變小，負溫度系數(shù),。UVLED消耗功率，其中一部分被轉換為光能,，這是我們所需要的,。 其余部分轉化為熱量，從而提高了結溫,。 散發(fā)的熱量（功率）可以表示為,。
4，UVLED光學特性：UVLED提供大寬度的單色光,。 由于半導體的能隙隨著溫度的升高而減小,，因此其發(fā)射的峰值波長會隨著溫度的升高而升高，也就是說,，光譜的紅移溫度系數(shù)為+ 2?3A /,。UVLED發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加,，發(fā)光亮度也大約增加,。 另外，發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關,。 當環(huán)境溫度高時,，復合效率降低并且發(fā)光強度降低。
5,，UVLED熱學特性：小電流下LED溫升不明顯,。 如果環(huán)境溫度高，UVLED的主波長將發(fā)生紅移,，亮度將降低,，并且光的均勻性和均勻性將降低。 尤其是,，點矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩(wěn)定性具有更大的影響,。 因此散熱設計非常重要。
6,，UVLED壽命：UVLED長時間工作會導致老化,，特別是對于高功率的UVLED，光衰的問題更加嚴重,。 在測量UVLED的壽命時,，僅將燈的損壞視為UVLED壽命的終點是不夠的。LED的壽命應通過UVLED的光衰減百分比來指定,，例如35％,，這更有意義。
7.大功率UVLED包裝：主要考慮散熱和發(fā)光。 關于散熱,，請使用銅基熱襯,，然后連接至鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過焊接連接,。 這種散熱方法效果更好,，性價比更高。 在發(fā)光方面,，采用倒裝芯片技術,，在底部和側面增加反射面以反射浪費的光能，從而可獲得更多的消光光,。

本文章由三昆UVLED廠家整理原創(chuàng),，轉載請注明出處：http://m.onesale.cn/9/2332.html

Tag標簽:UVLED 量子效率 反向擊穿電壓 負載特性 UVLED電氣特性 uvled特性 UVLED壽命 銅基熱襯