uvled原理

1.UVLED發(fā)光機理：PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定的勢壘。 當正向偏置電壓時勢壘減小時,，P區(qū)域和N區(qū)域中的多數(shù)載流子彼此擴散,。 由于電子遷移率的遷移率遠大于空穴的遷移率，因此大量電子將擴散到P區(qū),，從而在P區(qū)中注入少數(shù)載流子,。 這些電子與價帶中的空穴復(fù)合，并且在復(fù)合期間獲得的能量以光能的形式釋放,。 這就是PN結(jié)發(fā)光的原理,。
2，UVLED發(fā)光效率：通常稱為組分的外部量子效率,，是組分內(nèi)部的量子效率與組分提取效率的乘積,。 所謂的組件內(nèi)部量子效率實際上就是組件本身的電光轉(zhuǎn)換效率，這主要與組件本身的特性（例如組件材料的能帶,，缺陷和雜質(zhì)）有關(guān),。），勢壘晶體的組成成分和結(jié)構(gòu),。 組件的提取效率是指組件內(nèi)部產(chǎn)生的光子數(shù),，在組件自身吸收，折射和反射之后,，實際上可以在組件外部對其進行測量,。 因此，與提取效率相關(guān)的因素包括組分材料本身的吸收，組分的幾何結(jié)構(gòu),，組分和包裝材料的折射率差以及組分結(jié)構(gòu)的散射特性,。 成分的內(nèi)部量子效率與成分的提取效率的乘積是整個成分的發(fā)光效果，即成分的外部量子效率,。 早期組件開發(fā)的重點是改善其內(nèi)部量子效率,，主要方法是提高勢壘晶體的質(zhì)量并改變勢壘晶體的結(jié)構(gòu)，以使電能不容易轉(zhuǎn)化為熱量,，然后間接增加發(fā)光量 UVLED的效率,，從而獲得70%左右的理論內(nèi)部量子效率，但是這樣的內(nèi)部量子效率幾乎接近理論極限,。 在這種情況下,，僅通過增加模塊內(nèi)部量子效率就不可能增加模塊的總光量。 因此,，提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題,。 當前的方法主要是：改變晶粒形狀TIP結(jié)構(gòu)，進行表面粗糙化技術(shù),。
3,，UVLED電氣特性：電流控制裝置，負載特性UI曲線類似于PN結(jié),，正向方向的很小變化導(dǎo)通電壓將引起正向電流的較大變化（指數(shù)級），反向漏電流非常小,，有反向擊穿電壓,。 在實際使用中，您應(yīng)該選擇,。UVLED正向電壓隨著溫度的升高而變小,，負溫度系數(shù)。UVLED消耗功率,，其中一部分被轉(zhuǎn)換為光能,，這是我們所需要的。 其余部分轉(zhuǎn)化為熱量,，從而提高了結(jié)溫,。 耗散的熱量（功率）可以表示為。
4.UVLED光學特性：UVLED提供具有較大半寬度的單色光,。 由于半導(dǎo)體的能隙隨著溫度的升高而減小,，因此其發(fā)射的峰值波長隨溫度的升高而增加，即光譜紅移,，溫度系數(shù)為+ 2?3A /,。UVLED發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加,，發(fā)光亮度也大約增加,。 另外,，發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。 當環(huán)境溫度高時,，復(fù)合效率降低并且發(fā)光強度降低,。5.UVLED熱學特性：小電流下LED溫升不明顯。 如果環(huán)境溫度高,，UVLED的主波長將發(fā)生紅移,，亮度會降低，并且光的均勻性和一致性會變差,。 尤其是,，點矩陣和大型顯示屏的溫度上升對LED的可靠性和穩(wěn)定性具有更大的影響。 因此散熱設(shè)計非常重要,。UVled光源
6,，UVLED壽命：UVLED長期工作會由于光衰減而引起老化，特別是對于高功率的UVLED,，光衰減的問題更為嚴重,。 在測量UVLED的壽命時，僅將燈泡的損壞作為UVLED壽命的終點是不夠的,。LED的壽命應(yīng)由UVLED的光衰減百分比指定,，例如35%，這更有意義,。,。
7。 大功率UVLED包裝：主要考慮散熱和發(fā)光,。 關(guān)于散熱,，請使用銅基熱襯，然后連接至鋁基散熱器,。 芯片和散熱片通過焊接連接,。 這種散熱方法效果更好，性價比更高,。 在發(fā)光方面,，采用倒裝芯片技術(shù)，并且在底面和側(cè)面上添加反射面以反射浪費的光能,，從而可以獲得更多的消光光,。

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