UVLED產(chǎn)業(yè)的國(guó)內(nèi)發(fā)展?fàn)顩r

國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)
近年來(lái),，I國(guó)紫外UVLED技術(shù)應(yīng)用發(fā)展相對(duì)較快。 除了一些科研機(jī)構(gòu)對(duì)UVLED的研究取得豐碩成果外,，國(guó)內(nèi)LED公司也在紫外LED領(lǐng)域上開放自己的市場(chǎng),。紫外LED芯片的波長(zhǎng)越短，技術(shù)難度就越大,，紫外LED芯片場(chǎng)越深具有廣闊的前景,。
未來(lái)的研究方向
基于紫外LED芯片的研究現(xiàn)狀，預(yù)計(jì)其未來(lái)的研究和發(fā)展方向?qū)ㄒ韵聨讉€(gè)方面：高質(zhì)量的深紫外材料外延生長(zhǎng)技術(shù)的研究,； 高鋁成分的AlGaN材料生長(zhǎng)技術(shù)和摻雜雜項(xiàng)技術(shù),； 深紫外LED結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；300nm以下的波長(zhǎng)LED器件芯片制作工藝和封裝技術(shù),；UV源模塊開發(fā)及其在醫(yī)療,，消毒和凈化應(yīng)用中的應(yīng)用； 近紫外LED激發(fā)磷光體以制備高性能的白光LED,。
未來(lái)的技術(shù)問題
將來(lái)要解決的技術(shù)問題是在藍(lán)寶石襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlN模板的增長(zhǎng),；AlGaN量子阱發(fā)光機(jī)理研究與結(jié)構(gòu)控制技術(shù)；P型高Al組分AlGaN摻雜技術(shù)研究,； 產(chǎn)量低歐姆接觸電極,； 解決當(dāng)前的擁塞效應(yīng)；紫外LED出光效率改進(jìn)技術(shù),； 高效合成熒光材料,； 耐熱，抗UV包裝材料的研究,； 深紫外LED器件技術(shù)和封裝技術(shù),； 深海UVLED模塊開發(fā)的應(yīng)用等。在國(guó)內(nèi)外眾多UVLED研究人員的共同努力下,，相信紫外LED芯片的應(yīng)用前景將是光明的,。

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